聚酰亚胺应用于半导体元件的制程中， 往往需要利用微影成像技术(micro lithography) 来制作线路图形， 如果赋予聚酰亚胺感光性， 使其同时具有光阻及绝缘保护材料的特性， 则可以简化制程，是相当热门的尖端材料。非感光性负型制程以往十分普遍，但是制程复杂， 包括上光阻、曝光、显影、蚀刻、去光阻等步骤， 而且以联胺(hydrazine)等高反应性、有毒性的有机硷作为蚀刻液， 是它的主要缺点。

非感光性正型制程可以用碱性水溶液同时作为正型光阻显影剂与聚酰亚胺蚀刻液， 是目前*常用的方法。负型感光性聚酰亚胺具有负型光阻的特性，所以不需要光阻，可以有效的简化制程，以有机溶剂蚀刻聚酰亚胺， 这种制程的应用厂商正逐渐增加。正型感光性制程使用具有正型光阻特性的聚酰亚胺， 也不需要光阻与相关制程步骤， 而且可以用碱性水溶液进行蚀刻， 可以确保安全性，同时这种制程也适合制作更小的通孔 (through hole)，是未来极具发展潜力的制程。

感光性聚酰亚胺是西门子公司首先开发出来的， 该公司再将这项技术相继卖给美国杜邦、西德默克(Merck)、汽巴嘉基(Ciba- Geigy)以及旭化成工业等公司， 各公司再以西门子的技术为基础改进感光性PI 特性， 发展独特的制法。另一方面， 日本东丽、日立化学、宇部兴业也各自开发感光性聚酰亚胺。