负性光敏型PI 涂层胶工作原理是：被曝光的区域发生光化学反应，在显影后聚合物胶留下形成图案。目前已商业化的负性光敏型PI 涂层胶主要有酯型、离子型和结构型3类。

酯型PI 涂层胶是由二酐与带光敏性基团的醇生成二酸二酯后酰氯化，再与二胺反应得到。利用BTDA、6FDA与含羟基的二胺单体反应，经丙烯酰氯处理得到具有低介电常数的酯型PSPI。为了消除会降低材料介电性能和对铜有腐蚀作用的Cl-，H Ahne等改用DCC为酰化剂，直接由二酸二酯与二胺反应合成无Cl-的光敏树脂。这种树脂具有好的流平性和成膜性，但留膜率较低。离子型PI 涂层胶是由聚酰胺酸与带光敏性基团的叔胺形成的盐，曝光后在大分子间产生“离子键-共价键-离子键”的交联桥，从而实现光刻成像。这类涂层胶首先由日本Toray 公司开发成功，PSPI“Photoneece PW”系列相比，其耐化学稳定性好，Tg为260 ℃，对基底具有优良的粘结性且固化过程中薄膜的残余应力低至32 MPa。该公司2012 年初宣布开发出可在170 ℃低温下固化的正性PSPI涂层材料“Photoneece LT”系列，可用于耐热性要求低的半导体芯片保护膜以及再布线层绝缘膜等，残留应力很低，极具应用价值。此外，HD Microsystems公司推出的HD-8810、HD-8910 系列，国内某厂家生产的ZKPI-540 产品等均是应用于微电子封装的正性光敏型PI 涂层胶。

目前，正性光敏型PI 涂层胶的研究仍存在许多商品名为“Photoeece”，聚酰胺酸由ODA 和PMDA合成，其感光基团为光敏性叔胺甲基丙烯酸乙醇酯。所采用的增感剂在365 nm有强吸收，其感光度可达到7~10 mJ·cm-2。

结构型PI 涂层胶首先由Pfeifer[32]研制成功，它是由BTDA 和具有邻位烷基的二胺反应得到的可溶的、完全亚胺化的聚酰亚胺。这种光敏型PI 对超高压汞灯的i、g、h 线不能很好地吸收，故感光度不高，大约为600~700 mJ·cm-2，但对310 nm波段的感光度为20~30 mJ·cm-2。

负性光敏型PI 涂层胶产品有Amoco 公司研发的Ultradel 7501 和国内某厂家的ZKPI-510、ZKPI-520和ZKPI-530等。负性光敏型涂层胶往往采用有机溶剂作为显影液，胶膜会溶胀，在显影后膜损失率高，残留物也难以完全去除，可能会影响膜的介电性能。负性涂层胶现已朝水溶性PSPI 的方向发展，报道了一类IC封装用的水溶性负性PSPI。

光敏型聚酰亚胺除了在结构设计上追求高灵敏度、高分辨率、低膜损失率、更有效的水性显影液、低成本的合成方法等方面需加强研究外，还需在低介电常数、宽的透明波长范围、低光损耗等方面继续开展研究。