信息技术的快速发展对存储器提出更高的要求,为了满足信息时代的海量存储要求,越来越多的研究机构将研发焦点转向新兴存储技术,诸如铁电存储、磁存储、相变存储和阻变存储等技术正在被大量研究，其中,基于有机/无机杂化材料的阻变存储因其结构简单、擦写速度快、操作电压小、非破坏性读出、可制成大面积和柔性器件等优点,在信息存储方面有着广泛的应用前景。

石墨烯的高比表面积与合适的功函数使其在聚合物复合体系中可作为载流子陷阱,从而使复合材料具有阻变特性.Chen等在氧化石墨烯表面嫁接TPAＧPAM 分子,形成稳定均一的氧化石墨烯复合材料,获得非易失性可擦写阻变特性.Lee等制备了基于石墨烯夹层结构的柔性阻变器件,该器件表现出优异的抗弯曲与数据维持特性。通过选择具有不同能级的聚合物,对载流子阱深进行控制,从而实现写一次读多次、易失性随机存取、非易失性随机存取效应;基于该原理制备具有不同阱深的双电子陷阱石墨烯多叠层结构,实现三稳态阻变效应。进一步,通过石墨烯∶聚酰亚胺的均匀复合,制备了具有高重复性的四态阻变存储器件。

尽管石墨烯∶聚合物表现出优良的阻变特性,然而作为原理性研究,大部分工作都是采用旋涂方法在电极表面制备整层的活性层,这显然与实际应用无法兼容.因为在实际的器件中,该阻变层必须选择性地沉积在特定的区域,才能与二极管或晶体管阵列连接,从而克服“窜扰”效应.因此,图形化的石墨烯∶聚合物复合薄膜的制备对于实现阻变存储器的应用具有重要的意义。